S8050

1٬000ج.س.

ترانزستور ثنائي القطب NPN متعدد الأغراض (BJT)

general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT)

الوصف

  • Transistor Type: NPN Bipolar Junction Transistor
  • Package: SOT-23
  • Maximum Collector Current (IC): 700mA
  • Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE): 20V
  • Maximum Collector-Base Voltage (VCB): 30V
  • Maximum Emitter-Base Voltage (VEB): 5V
  • Maximum Collector Dissipation (PC): 1W
  • DC Current Gain (hFE): Typically 40-400
  • Operating Temperature: -65°C to +150°C
  • Maximum Power: 2 Watts
  • Base-Emitter Saturation Voltage (VBE(sat)): 1.2V 

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

كن أول من يقيم “S8050”

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *