IRF830

5,000ج.س.

ترانزستور موسفيت ذو قناة N، مصمم لتطبيقات التبديل عالية السرعة. يتميز بجهد تصريف أقصى يبلغ 500 فولت، وتيار تصريف مستمر يبلغ 4.5 أمبير.

N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features a maximum drain-to-source voltage of 500V, a continuous drain current of 4.5A

Description

Some Ratings and characteristics(@TC= 25°C):
  • Type: N-Channel
  • Package: TO-220
  • VDSS= 500V
  • ID= 4.5A
  • RDS(on)(Typ.)= 1.35Ω
  • VGSS= ±20V
  • Ptot= 100W
  • Trr(Typ.)= 435ns
  • Tj= -65 to 150°C
  • Tstg= -65 to 150°C

Reviews

There are no reviews yet.

Be the first to review “IRF830”

Your email address will not be published. Required fields are marked *