G80N60UFD

15٬000ج.س.

ترانزستور Igbt فائق السرعة 80 أمبير 600 فولت

Transistor Igbt Ultrafast 80amp 600v

 

التصنيف:

الوصف

Description
Using Novel Field Stop IGBT Technology, ON Semiconductor’s
field stop IGBTs offer the optimum performance for induction
heating, telecom, ESS and PFC applications where low conduction
and switching losses are essential.
Features
• High Current Capability
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 40 A
• High Input Impedance
• Fast Switching
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant
Applications
• Induction Heating, PFC, Telecom, ESS

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

كن أول من يقيم “G80N60UFD”

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *